- 技术参数
| 产品属性 | |
|---|---|
| 类别 | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态 | Active |
| FET 类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.2A (Ta), 3A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 73pF @ 75V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W (Ta), 10W (Tc) |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 845 mOhm @ 1.2A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 其他信息 | |
|---|---|
| 标准包装数 | 4,000 |
| 其他名称 | FDT86256TR |
- 商品描述
FDT86256由ON Semiconductor设计生产,在大鱼芯城现货销售,并且可以通过大鱼芯城进行代购。FDT86256价格参考￥ 8.186850。FDT86256-类别 ：Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
；系列 ：PowerTrench®
；包装 ：Tape & Reel (TR)；零件状态 ：Active；FET 类型 ：N-Channel；技术 ：MOSFET (Metal Oxide)；漏源电压（Vdss） ：150V；电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） ：1.2A (Ta), 3A (Tc)；驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） ：6V, 10V；不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） ：4V @ 250µA；不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） ：2nC @ 10V；不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） ：73pF @ 75V；Vgs（最大值） ：±20V；FET 功能 ：-；功率耗散（最大值） ：2.3W (Ta), 10W (Tc)；不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） ：845 mOhm @ 1.2A, 10V；工作温度 ：-55°C ~ 150°C (TJ)；安装类型 ：Surface Mount；供应商器件封装 ：SOT-223-4；封装/外壳 ：TO-261-4, TO-261AA；标准包装数 ：4,000；其他名称 ：FDT86256TR、；。你可以下载FDT86256中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT86256详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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